مجله اینترنتی ALL Things 4U همه چیز از همه جا برای شما
صفحه اصلی |
تماس با من |
| ||
|
اگر ترانزیستور به شیوه زیر بایاس گردد یعنی: دیود کلکتور- بیس در بایاس معکوس و دیود امیتر- بیس در بایاس مستقیم باشد ترانزیستور در ناحیه فعال است.
چون بیس چگالی خیلی کمی دارد جریان درC به خوبی Collect میشود
ترانزیستور در سه ناحیه کار میکند که ناحیه کار ترانزیستور را بایاس ترانزیستور تعیین میکند: 1- On 2- ناحیه تقویت کنندگی- ناحیه اکتیو - ناحیه خطی یا ناحیه سیگنال کوچک 3- Off
نواحی سوئیچ زنی Transient ناحیه اکتیو
اگر هر دو منبع ولتاژ را معکوس کنیم هر دو دیود قطع میشوند در حالت On ولتاژهای بایاس طوری هستند که هر دو اتصال دیودی در حالت فوروارد قرار دارند در حالت Off ولتاژهای بایاس طوری هستند که هر دو اتصال دیودی در حالت معکوس قرار دارند
دیود سمت چپ در حالت فوروارد کار میکند پس
معمولا
در حالت DC
Is=Current Scale Factor =Current Size Factor 10-12 to 10-15 A
اگر
در ناحیه اکتیو EBJ فوروارد و CBJ معکوس بایاس میشوند ناخالصی امیتر< نا خالصی کلکتور << ناخالصی بیس
در دیود امیتر بیس:
ناحیه بیس باید مقاومت بالایی داشته باشد تا جریان کمی بکشد و حفره های کمی را جا به جا کند
ترانزیستور: منبع جریان کنترل شده با ولتاژ
منبع جریان را میتوان کنترل شده با جریان بیس هم در نظر گرفت Is=Current Scale Factor
Is با عرض بیس نسبت عکس دارد و هر چه عرض بیس کمتر باشد این جریان بیشتر میشود
و با دما و سطح مقطع ترانزیستور نسبت مستقیم دارد به طوری که با هر 10 درجه افزایش دما این جریان 2 برابر میشود
طبق تعریف
درجه تقویت جریان اتصال کوتاه سیگنال بزرگ مدار بیس مشترک اتصال کوتاه= ماکزیمم gane جریان آلفا هرگز به یک نمیرسد
در مدار امیتر مشترک
بتا در ناحیه فعال بتا در ناحیه فعال معکوس
دقت میکنیم که ترانزیستور یک ساختار متقارن نیست سایز کلکتور>سایز امیتر>> سایز بیس
ناحیه فعال بهترین ناحیه جهت تقویت کنندگی است چون بتای بزرگ دارد
نظرات شما عزیزان: |
![]() ![]() ![]() |
[ طراحی : امید صحاف زاده ] [ Weblog Themes By : omid ] |